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第一三八一章 同意出口

2026-08-25 22:24:44 作者: 解剖老師

  TD-SCDMA將升級到W-CDMA同樣的配置。

  曙光通訊集團按照規劃將按照TD-SCDMA、W-CDMA、CDMA2000等三大3G標準,生產擁有自主智慧財產權的的3G手機,向全球不同地區出售三種技術標準的曙光牌3G手機。

  諾基亞、愛立信、摩托羅拉、NEC、松下和三星等全球主流手機生產廠家也是採用這種模式。

  第一代擁有三大3G標準的曙光牌3G手機命名曙光3(T3),第二代3G手機命名為曙光4(T4),第三代3G手機命名曙光4(T4),每代生產藍色、綠色、粉紅色、黑色和白色等五種顏色,供不同性別和年齡的消費者選購,全球統一零售價格4999元或625美元,享受五星客戶服務。

  喬卜斯如今還在為蘋果電腦進軍美國電腦銷量前5位而努力,蘋果公司沒有進軍手機產業的規劃,1999年年報顯示,總收入60億美元,淨利潤6.01億美元,每股收益1.57美元。

  隨著納斯達克網絡科技泡沫破裂,蘋果公司未能倖免,股價從3月最高26.04美元,跌到最低18美元,市值從最高100億美元跌到69億美元。

  蘋果公司去年中期分紅,實行了1拆3的分紅方案,總股本從萬多股,變成了萬多股;木蘭投資公司持有的500萬股,變成了1500萬股。

  蘋果公司2000年第一季度財報顯示,ATIC持有3456萬股蘋果股票,占股還是9%,第二大股東;馬庫拉持有4070.4萬股,持股比例從11.4%降到10.6%,在高位套現了307萬股,還是第一大股東。

  在孫健的暗示下,向冬萍在12月30日,將木蘭投資公司持有的1500萬股蘋果股票,在25美元全部賣出,獲利3.78億美元(成本價2.35美元),這筆投資收益占到木蘭投資公司總資產(6.22億美元)的近61%。

  等這輪納斯達克網絡科技股泡沫破裂結束,孫健會建議向冬萍她們購買蘋果公司的股票。

  蘋果公司只是孫健手裡的一個備胎,也是一個投資品種,對成為蘋果公司第一大股東沒有興趣。

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  「孫總,我們拿到了商務部同意出口的批文。」

  5月22日上午,在PGCA半導體公司總經理李昌傑和布羅迪陪同下,考察還在建設中的一條500nm製程工藝生產線的孫健,接到余建國從美國打過來的電話。

  去年9月,BSEC生產的第一條具有自主智慧財產權的8英寸晶圓、

  500nm製程工藝的半導體生產線在PGCA半導體公司開工建設。

  余建國昨天接到美國商務部的電話,同艾德里安一起乘飛機前往華盛頓,已經提前告訴了孫健。

  孫健不在美國,書面授權余建國作為GCA董事長和法人的全權代表。

  「余總辛苦了,我明天帶李昌傑和布羅迪過來,同GCA簽訂正式購買協定。」

  「好的,孫總!」

  PENG和GCA董事會3月都已同意,PGCA半導體公司投資20億美元(包括基建費用)規劃建設一條180nm製程工藝的半導體生產線;4月初,投資16億美元從GCA購買一條180nm製程工藝的半導體生產線的申請已經交給美國商務部,快3個月了,今天才拿到准許出口的批文。

  不是美國商務部官員辦事拖拉,而是對出口一條180nm製程工藝的半導體生產線給PGCA有些分歧。

  自從GCA和尼康公司研發的90nm製程工藝的光刻機先後量產,財大氣粗的INTEL、IBM、TI、AMD和HP近水樓台先得月,先後定購了一條價值25億美元(包括基建費用)的90nm製程工藝的半導體生產線。

  一條180nm製程工藝的半導體生產線從22億美元(包括基建費用)降到20億美元,BSEC如今也能量產250nm製程工藝的光刻機,孫健將40台(價值4億美元)250nm製程工藝光刻機的生產訂單交給BSEC。

  這條180nm製程工藝的半導體生產線規劃安裝20台GCA生產的180nm製程工藝的光刻機和BSEC生產的40台250nm製程工藝的光刻機,既能節約成本,光刻效果也不受影響。

  BSEC和GCA都是孫健控股的公司,作為兩家公司的法人兼董事長,手掌手背都是肉。

  去年11月15日,中美兩國簽訂了中國加入世貿組織的雙邊協定,中國去年的GDP達到1.19萬億美元,只占美國GDP的12.1%、日本的24.9%,按照全球經濟總量的排名來看,中國位居全球第七,排在義大利之後。


  美國的頭號對手還是全球經濟老二的日本,繼續打壓日本的半導體產業。

  雖然鯤鵬軟體集團在全球軟體市場占據20%的市場份額,但還沒有對美國軟體產業造成實際性的威脅,美國商務部也不容許微軟公司壟斷美國軟體市場。

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  美國曙光投資公司(ATIC)控股的GCA成了同尼康半導體公司並駕齊驅的光刻機龍頭企業,研發的90nm製程工藝光刻機已經量產,但在65nm製程工藝上都遇到了無法克服的困難。

  尼康光刻機研究院和GCA光刻機研究院採用ArF 193nm光源,研發一年多,毫無進展。

  業界普遍認為193nm光刻無法延伸到65nm製程工藝,而157nm將成為主流光源技術,但157nm光刻技術同樣遭遇到了來自光刻機透鏡的巨大挑戰。

  業界對下一代光刻機的發展提出了兩種路線,一是以尼康和佳能等日本光刻機半導體企業,主張開發波長更低的157nm的F2準分子雷射做為光源;二是GCA和英特爾發起建立了EUV LLC聯盟,採用極紫外光源(EUV)來提供波長更短的光源。

  EUV LLC聯盟中除了GCA、英特爾和牽頭的美國能源部以外,還有摩托羅拉、AMD、IBM,以及能源部下屬三大國家實驗室:勞倫斯利弗莫爾國家實驗室、桑迪亞國家實驗室和勞倫斯伯克利實驗室。

  GCA光刻機半導體研究院院長兼任光刻機光源研究所所長湯普森院士從1993年7月開始研發EUV,GCA前後投資了1.5億美元,也沒有取得成功,1997年7月自動放棄了研究。

  1997年10月,湯普森院士出面邀請英特爾和美國能源部共同開發EUV。

  前世,英特爾邀請尼康和ASML加入EUV LLC聯盟,但美國政府反對尼康加入,ASML做出多重承諾後才得到這個千載難遇的機會,資金到位,技術入場,人才雲集,EUV LLC聯盟也花了近20年的時間,第一台可量產的ASML EUV樣機才正式發布。

  


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