第222章 零代樣管

  同一周的周四下午，第五爐單晶已經在502的石英坩堝中生長到停止線附近。

  王守武送來的高純籽晶被截取一段，裝進重新調整過的夾頭，剩餘部分按使用長度登記後封回安瓿瓶，放進保密櫃保存。

  這一爐繼續採用每分鐘二十八轉和每分鐘零點八毫米提拉速度，鍺料批次、保護氣體流量與爐腔壓力沿用第四爐條件，唯一主動替換的變量是純度達到五個九以上的新籽晶。

  老孫守著傳動箱，手掌貼在外殼上檢查蝸輪蝸杆嚙合，方旭東則把電機電流、溫度紙帶與晶體長度接在同一條時間軸上。

  生長進行到後半段，石英坩堝內的熔體液面持續降低，籽晶底面附近的軸向補流仍保持穩定，溫控記錄中只出現兩次執行器回位造成的窄峰。

  姜明核過彎月面寬度和晶柱直徑，決定繼續提拉到滿一小時，再讓老孫停住上升機構，保留旋轉使晶體平穩脫離液面。

  爐體降溫後，一根長度接近五十毫米的鍺單晶被取出，表面生長紋連續，尾部收口完整，成為502迄今拉出的最長晶體。

  方旭東將頭尾薄片切下，磨拋後送進偏光顯微鏡，幾個方向的亮暗變化保持連貫，隨後又把整根晶體移到四探針台，沿長度方向逐點測量電阻率。

  第五爐曲線繪完以後，頭尾差收窄到百分之九，中段約三十毫米的範圍內，電阻率均勻性維持在正負百分之二。

  新籽晶壓縮了頭部過渡區，石英坩堝則繼續限制碳雜質輸入，第二爐至第五爐留下的四條曲線由此形成完整改進鏈條。

  吳漢章把曲線夾進二十四吉赫茲預研方案，指著中段那三十毫米說道：「材料先過第一關，器件組今天就切，別讓它躺在柜子里等表揚。」

  老孫已經做好切割夾具，他用軟金屬襯片固定晶體，避開頭尾過渡區，將中段切成若干薄片，方旭東接手研磨和拋光，再按電阻率區間逐片編號。

  點接觸工藝採用老孫磨出的鎢絲觸針，針尖先在放大鏡下檢查，隨後裝入彈簧支架，以可調壓力接觸鍺片表面。

  第一輪接觸形成後，測試台上的正反向電阻差距偏小，方旭東拆開支架檢查，發現針尖壓力過輕，接觸區還停留在不穩定狀態。

  老孫把彈簧壓緊位置向前調了一格，姜明則將形成脈衝幅度控制在工藝表的低端，防止接觸區受熱範圍擴得過大。

  第二次電脈衝加到觸針與鍺片之間，電流表指針迅速擺過又退回，方旭東斷開形成迴路，重新接入直流測試端，依次測量正向與反向電阻。

  「比值超過十比一。」

  他把兩組讀數寫進器件工藝卡，又切換到簡易混頻測試台，將信號源、本振輸入和中頻輸出逐項接好。

  吳漢章站在測試台旁，等方旭東完成校準後才示意送入信號，中頻表頭隨輸入變化出現響應，轉換損耗落進預估範圍，第一隻點接觸鍺二極體由此完成基本工作驗證。

  研究室里響起幾聲交談，很快又被吳漢章抬手壓住，他抽出正式版預研方案，直接翻到器件指標頁，把零代試製數據逐欄填進去。

  反向電阻與正向電阻比已經越過最低門檻，混頻轉換損耗也能用於低等級驗證，噪聲係數和反向擊穿電壓卻離二十四吉赫茲接收前級要求仍有差距。

  「能用，離前端要求還有距離。」

  吳漢章把測試表推到姜明面前，鉛筆分別點過噪聲係數與擊穿電壓兩欄。

  「純度再高一個等級，觸針形成工藝也得再摸一輪，這隻器件裝進正式前級，接收距離和穩定性都守不住。」

  姜明在器件編號前寫下零代樣管，將它與後續定型器件分開歸檔。

  「零代只證明國產高純鍺能夠做出工作器件，下一輪同時改材料和觸針參數會混淆結果，先按兩條線分開推進。」

  材料線把區域提純遍數從六遍增加到十遍，需要物理所提供更長的石英管與更多爐時，器件線則維持第五爐材料，逐組改變電脈衝幅度和作用時間，尋找接觸區電阻、噪聲與擊穿電壓之間的工藝窗口。

  

  方旭東將兩條試驗矩陣畫在工藝卡背面，脈衝幅度分成四檔，每檔再配三組作用時間，觸針壓力保持統一，材料片則從同一段晶體相鄰位置切取。

  「十二組起步，每組至少做三隻，才能排除針尖差別。」




  正討論爐時申請時，宋同志送來科學院國際交流處的回執，確認馮·卡門第二封正式回信已經通過國際航郵發出，按航線預計三到四周後抵達帕薩迪納。

  回執後還附著錢學森審閱時留下的批註，方旭東展開薄紙，逐字讀出那行字。

  「溫度勢變換的三點判斷清晰獨立，可以繼續沿這個方向做第三封通信的準備。」

  姜明把回執夾進舊硬皮備忘錄，第三封通信的提綱暫時只列出材料邊界變化與變截面耦合兩項，具體內容仍需等待下一輪推導。

  下午臨近下班，吳漢章帶著正式版二十四吉赫茲預研方案去了厂部，張廠長從材料條件、器件路線翻到資源需求頁，又核對阿克塞殘片摘要和零代樣管測試記錄。

  他在封面寫下同意立項，資源保障欄則填入第三電子廠物資優先排產，隨後加蓋厂部印章，把方案交回吳漢章。

  這次立項之後，502的任務範圍正式越過原有磁控管攻關，微波器件、半導體材料和點接觸器件被納入同一間預研室，人員與設備排產也獲得厂部名義上的保障。

  吳漢章回到研究室時，手裡除了蓋章方案，還帶著一封從半導體研究組轉來的技術信。

  王守武依照雙坩堝方向畫出一版結構草圖，內外坩堝、補料入口與雙區加熱已經排開，同軸旋轉軸穿過爐蓋的位置卻被紅筆反覆修改，信中直接詢問502是否掌握可靠的真空旋轉密封方案。

  吳漢章把信放到姜明桌上，用煙盒壓住翹起的信紙。

  「他開口了。」

  姜明看過草圖中的軸徑、轉速與真空要求，從鐵櫃裡取出源雷一號永磁體組件密封記錄，翻到旋轉件穿壁結構那一頁。

  磁控管工藝中積累的旋轉密封經驗能夠直接遷移，原結構採用磁性液體在多級極靴間形成密封環，低速旋轉時既能保持氣密，也能減小機械摩擦對軸系穩定性的影響。

  他重新畫了一份適配雙坩堝的小軸徑結構，把極靴級數、磁路閉合和耐溫隔離列成設計條件，只保留502已經驗證過的工作範圍，超出部分則要求王守武另做空載試驗。

  回信寫到末尾，姜明將磁流體密封概念和源雷一號的驗證結果簡述清楚，又附上一張縮小後的剖面圖。

  吳漢章看完回信，把零代樣管的器件盒推到圖紙旁邊，一邊是半導體研究組送來的高純籽晶，一邊是502交出的真空旋轉密封方案。

  兩份材料隨後分別登記、封存，沿內部交換渠道送往物理所，雙方能夠交換的技術也由材料工藝延伸到了設備核心結構。