第五爐定向切割鍺片被分成兩組後，姜明在工藝卡上標明先硼後磷的雙擴散順序，目標結構定為NPN，首輪只進行硼擴散。
源雷二號的矽版工藝曾在一千一百度附近完成，熱氧化矽膜承擔擴散掩蔽，窗口邊界在高溫後仍能維持清楚。
鍺的工作條件需要重新建立，姜明將第一批硼擴散溫度定在六百二十度，保溫兩小時，以延長時間彌補擴散溫度下降帶來的結深差別。
鍺片表面先形成一層薄氧化鍺，再按設計窗口去除局部膜層，窗口寬度、邊緣位置和片號全部在放大鏡下覆核並拍照留存。
大劉檢查氮氣鋼瓶與減壓閥，將擴散爐管置換到規定時間，老孫把試片裝進石英舟，確認鍺片彼此分開後推入預熱區。
方旭東把爐溫、氣體流量和推進位置接入同一張記錄表，升溫曲線越過五百度以後，他每隔固定溫區便記一次膜面觀察結果。
六百二十度穩定下來時，石英管內的鍺片仍保持原有輪廓，窗口邊緣從窺視位置看不出變化，保溫計時隨即開始。
兩小時結束，老孫先將石英舟退到降溫段，待溫度落入取片範圍才打開端部，隔著手套把試片移到潔淨托盤。
第一片鍺片轉到工作燈下，表面的薄膜已經布滿細碎裂紋，擴散窗口邊緣向外翹起，靠近片緣的一圈膜層大片脫落。
方旭東用放大鏡逐片檢查，原先規整的窗口邊界被剝落區向外推開，幾處裂紋還沿著表面延伸到相鄰區域。
「剝落邊界跟窗口邊緣重合，開口處先壞。」他把擴散前照片壓在鍺片旁，用細針指出膜層翹起的起點。
隨後做出的結區檢查顯示，硼從窗口進入鍺體的同時，也穿過剝落區向兩側擴散，實際邊界較設計位置偏出約十微米。
雙擴散三極體的基區寬度本就依賴兩次擴散結深之差，第一層結區偏出十微米，後續磷擴散即使按計劃完成，結構也會脫離設計值。
姜明在工藝卡上圈出六百二十度和兩小時兩項參數，又把氧化膜裂紋位置與窗口圖重合，實際剝落程度超過了此前按資料作出的估計。
「降到五百八十度，時間先保持兩小時，另做一批，只檢查膜層和橫向擴散。」他從備用切片中取出同一區間樣品，重新處理表面與窗口。
第二批試片進入擴散爐後，氮氣流量、石英舟位置和升降溫速率全部沿用第一批條件，主動變量只剩溫度降低四十度。
取片時，膜面裂紋數量確實減少，片緣剝落面積也縮小了一截，可窗口附近仍分布著翹起薄片，局部區域已經露出鍺基體。
四探針測量顯示橫向擴散量隨溫度下降而收窄，窗口邊界依舊形成不規則電阻率帶，距離雙擴散器件要求仍差得遠。
方旭東把兩批結果畫到同一張截面圖上，六百二十度對應的擴散邊界向外鋪開，五百八十度曲線稍窄，卻保留同樣的膜層失效形態。
姜明翻開材料熱力學資料，將氧化鍺和氧化矽的穩定區間並列起來，鍺氧化物在當前擴散條件下容易分解並揮發，薄膜連續性隨之破壞。
降低溫度只能減輕剝落，繼續向下壓溫又會把擴散時間拉得過長，雜質濃度和結深也更難控制，熱氧化鍺這條掩蔽路線已經失去工程價值。
吳漢章看完兩批試片，將放大鏡擱回桌面，問道：「矽片那層氧化膜能守住窗口，鍺片守不住，替代材料從哪兒找？」
姜明在黑板上列出氮化矽薄膜、沉積二氧化矽膜和光刻膠三條路徑，每一條後面都接著當前設備條件與材料來源。
氮化矽需要氨氣、矽源和可控制的高溫反應條件，502現階段缺少成膜設備，工藝氣體的純度與安全處置也要另行解決。
沉積二氧化矽可以繞開鍺表面的熱氧化過程，真空蒸發或濺射設備卻要重新改造，薄膜附著力、針孔和熱應力仍需逐項試驗。
光刻膠適合形成細小窗口，國內眼下缺少穩定工業材料，耐溫和殘留污染也需要實測，短期內難以直接接入擴散爐。
老孫用鑷子夾起一片起皮鍺片，看著邊緣捲起的薄膜問道：「電子管封口能用蠟和玻璃釉，這裡能不能也糊一層擋住雜質？」
「蠟到這個溫度會碳化，殘留碳會污染鍺表面，玻璃釉與鍺的熱膨脹差得多，升溫以後容易帶著表面開裂。」
姜明說完又把玻璃釉三個字保留下來，在旁邊添上低溫玻璃薄膜，老孫的做法直接用於擴散行不通，材料方向卻值得留作備選。
方旭東將兩批擴散曲線、膜面照片和結區偏移數據整理成工藝簡報，經內部交換渠道送給王守武，詢問半導體研究組的掩蔽試驗經驗。
回信在次日送到502，王守武提到研究組也遇到相近問題。
他們嘗試過蒸發沉積氧化矽膜，耐溫表現優於熱氧化鍺，附著力與針孔仍會拖累窗口邊界。
信末另有一行手寫批註：「鍺的表面大概生來就不如矽省心。」
吳漢章讀完，把信遞給姜明，隨手將兩批廢試片裝進對照盒，盒蓋上分別寫著「六百二十度起皮」和「五百八十度局部剝落」。
同一天，物理所轉來一封內部技術通訊，封面印著近期半導體研究摘要。
吳漢章翻開冊子，視線在其中一頁停留良久，隨後將那薄薄的紙張推至姜明面前。
他的食指重重壓在一個署名上：謝希德。
旁邊緊挨著的題目正涉及鍺表面態密度測量，摘要里探討的表面處理、界面缺陷與電學性質，猶如一道精準的準星，徑直瞄向了502擴散試片正遭受的裂紋、剝落與漏電痼疾。