順著吳漢章指尖的力道，姜明毫不遲疑地抽出那頁預印本摘要，將其移至工作燈刺眼的光暈下逐行審視。
相較於題目，摘要呈現的數據極具衝擊力：鍺[111]表面的懸掛鍵密度高達每平方厘米十的十三次方量級，竟比理想晶格斷鍵數推算出的理論值超出約五倍。
多出的部分源自表面重構、吸附雜質與機械拋光留下的亞表面損傷層。
這就意味著，每一個懸掛鍵都極易化作電荷陷阱，從而在鍺片表面形成極難控制的固定電荷區。
姜明翻開牛皮紙筆記本，先畫出體內平直的能帶，再把靠近表面的導帶和價帶向一側彎曲，在禁帶中間補上密集的表面態能級。
費米能級被這些能級釘在表面以後，表面勢壘便會脫離體內摻雜濃度的控制，原本按擴散濃度計算的耗盡層寬度也會跟著偏移。
他重新拿起兩批起皮試片，將氧化膜裂紋、窗口邊緣漏電與四探針電阻率跳變逐項對照，紙上的兩條問題終於接到了一處。
氧化膜附著力差，源頭在鍺基底與膜層之間的缺陷界面，界面漏電偏高，同樣繞不開這層高密度表面態。
對於雙擴散三極體，這個影響會集中壓在基極與發射極交界附近，少數載流子經過時不斷落入陷阱，電流增益和噪聲指標都會受牽連。
吳漢章看著那張能帶圖，煙拿在手裡許久也未點燃，隨後把兩隻對照盒推到姜明面前。
「照你這個判斷，眼下起皮只是看得見的毛病，管子做出來以後，裡頭還藏著漏電？」
「界面態密度保持在這個量級，窗口即使守住，電學邊界也守不住，得先把表面處理和掩蔽膜當成同一項工藝。」
姜明把謝希德摘要中的測量條件抄到旁邊，心裡那股被氧化膜堵住的煩躁逐漸轉成了明確壓力，問題找到了根，解決工具卻分散在幾個單位。
「請黃先生協調一下，我想當面看她的光電導譜，也把這兩批擴散試片的數據帶過去。」
吳漢章抓起保密電話，先向物理所說明502遇到的器件界面問題，再請黃昆代為轉達討論請求。
當天下午，黃昆回電安排了見面時間，並提醒他們帶齊擴散前後的膜面照片、漏電數據與基片處理記錄。
姜明抵達物理所時，謝希德正在整理準備投稿的實驗曲線，桌上攤著數張光電導譜，波長標尺和樣片編號都由鉛筆寫在邊角。
她先看過黃昆遞來的介紹信，又掃了一遍502的工藝簡報，目光在工廠研究室幾個字上停留了一會兒。
「你們目前討論的是擴散掩蔽，表面態測量和器件工藝隔著幾層條件，先說說實際樣片吧。」
姜明取出六百二十度與五百八十度兩批試片照片，把氧化膜從窗口邊緣起裂、橫向擴散約十微米以及外側漏電上升的測量位置連到同一張圖上。
他接著翻到能帶彎曲示意圖，說明自己對界面缺陷的判斷，只把502已經測到的現象說清，未把推斷當作實驗結論。
謝希德聽到兩批試片都從開窗位置出現剝落，原本整理曲線的手停下來，隨即從文件夾底部抽出一組尚未謄清的光電導譜。
「你看這一段，經過機械拋光的[111]樣片，缺陷能級在禁帶中部堆得最密，酸洗以後峰值會降，可大氣放置後又會回來。」
她把502漏電變化曲線壓在光電導譜下方，沿橫軸調整到相近位置，兩組數據的高值區逐漸對齊。
姜明俯身核對樣片表面處理記錄，發現謝希德測出的高密度區，正對應他們擴散窗口外側電阻率跳變最集中的範圍。
這份重合還不足以直接證明因果，卻把表面態、膜層附著與界面漏電納入了同一條可驗證路徑。
謝希德又取出三組處理數據，其中一組鍺片先在濃鹽酸中浸泡，再用去離子水清洗，隨後立即送入低真空裝置，以四百度加熱十分鐘。
「這樣處理以後，懸掛鍵密度能降約三成，可樣片離開真空再接觸空氣，效果衰退得快，我判斷是表面重新氧化，也可能吸附了氣體分子。」
姜明盯著處理後第一條曲線，腦中已經浮出502那台舊真空室的結構，源雷一號做陽極銅塊釺焊時，它承擔過抽氣與加熱，改造餘地仍在。
「低真空加熱結束後，如果直接在真空里沉積保護膜，把處理後的表面封住，能否把這三成保留下來？」
謝希德把鉛筆放到譜線旁，回答前重新翻了實驗條件頁。
「我這裡能做光電導測試，薄膜沉積設備暫時接不上，這個辦法值得做，膜層材料與界面應力需要你們自己摸。」
接下來的兩個小時，姜明把502可提供的真空度、加熱溫度與石英材料條件逐項列出，謝希德則標明複測表面態密度需要保留的對照樣片。
討論後半段，她主動將酸洗濃度、清洗時間和暴露時間寫進聯合試驗表，還提出每批樣片至少保留一片只退火而不沉積的空白對照。
「光電導譜原始數據可以借你們複製，後續處理結果要共享，正式報告也要註明這些數據來自我的預印本。」
「可以，502的沉積記錄、膜厚和擴散後漏電數據同步送來，樣片也按你的編號規則留檔。」
黃昆一直坐在側面的記錄桌旁，聽到雙方把條件談定，才在硬皮筆記本上寫下502器件方向與表面態、器件界面、聯合課題兩行字。
姜明看見那兩行記錄時，才意識到502與物理所的合作已經從爐溫、提純和單晶生長，正式伸進了器件物理。
回廠以後，他把整套路線寫到黑板上，從鍺片拋光接到鹽酸浸泡、去離子水清洗、低真空退火，再接入真空蒸發氧化矽薄膜與雙擴散。
方旭東逐項抄進時間表，寫到氧化矽蒸發時，筆尖懸在材料來源一欄。
「真空室能改，蒸發源從哪兒取，現成氧化矽粉的純度也難核？」
老孫從材料櫃裡拿出上次加工石英坩堝留下的紙包，裡面裝著王守武送來石英管料的切邊碎片，編號與純度證明仍貼在封口處。
「這堆邊角料一直留著，做坩堝嫌小，放進蒸發坩堝倒合適。」
姜明取出一塊對著燈檢查，隨後讓方旭東把石英碎片清洗、烘乾和空載蒸發加入工序，真空室改造也排進本周前列。
方旭東剛把新版時間表貼上黑板，吳漢章便從厂部帶回一張航郵進度通知。
馮·卡門第二封回信已經進入帕薩迪納附近的投遞範圍，依照現有通信周期，對方的反饋若及時寄出，最快可能在兩周內出現回傳信號。
姜明把通知夾進舊硬皮備忘錄，翻到第三封通信預留頁，在材料界面變化後面寫下變截面耦合，又畫了一條尚未閉合的連接線。
黑板另一側，老孫正將一包石英碎片倒進潔淨托盤，清脆的碎料碰撞聲在工作檯前盪開。
按著新敲定的方案，下一輪試驗得搶在鍺表面重新吸附雜質前，將其牢牢封進一層新膜里。