次日清晨，托盤裡的石英碎片便被推入前置工序。
經過酸洗、去離子水清洗和烘乾，這批高純度邊角料被逐一裝進改造真空室的蒸發坩堝，大劉則在一旁守著自製電子束電源預調輸出。
同一時間，第一批鍺片恰好從濃鹽酸中取出。
方旭東按謝希德給出的倒計時完成清洗，常規擦乾工序被直接跳過，表面水跡交由潔淨氮氣全數吹走，樣片隨即送進真空室待命。
待設備抽氣達到低真空工作區，樣片台穩穩升至四百度並保持十分鐘。
方旭東盯緊面板，將溫度、壓強和入室間隔逐項記進新工藝卡。
退火結束後，樣片留在真空室內自然降溫，抽氣系統繼續向下壓至一點零乘以十的負四托，大劉旋即把電子束轉向裝有石英碎片的蒸發坩堝。
大劉自製的電子束功率偏小，石英表面先出現局部軟化，蒸發速率遲遲抬不上去，前三片的干涉色從中心到邊緣變化明顯。
姜明關掉電子束，待高壓迴路完成泄放，才讓老孫調整坩堝與樣片架的位置，把蒸發源移到轉台中心下方。
「功率再往上加會拖累電子束穩定，先縮短源片距離，再把蒸發時間拉長，膜層均勻性優先。」
第二輪沉積時，石英碎片分批加熱，樣片架以低速旋轉，方旭東通過觀察窗記錄反射率變化，再用光干涉法估算膜厚。
調整後的氧化矽薄膜接近零點二微米，中心與邊緣的干涉色差縮小，後續樣片之間也落進同一判讀區間。
前三片被單獨編為沉積不均勻對照，剩餘樣片轉入擴散工序，硼擴散窗口用刻針刺穿氧化矽層，再按六百度保溫兩小時。
第二次磷擴散在另一面開出窗口，溫度降至五百六十度，擴散時間延長到三小時，爐溫與氮氣流量繼續沿用統一記錄基準。
石英舟退出降溫段後，姜明先在工作燈下檢查膜面，氧化矽層保持連續，窗口外側也看不到此前那種沿裂紋翻起的薄片。
方旭東在四探針台上沿窗口中心、邊緣與掩蔽區逐點測量，表面電阻率的過渡帶明顯收窄，掩蔽區也未出現前兩批的橫向擴散。
其中一組對照片當天送往物理所，謝希德依原方法重測光電導譜，回傳結果顯示表面態密度較原始拋光片下降約五成。
姜明拿到曲線時，把酸洗退火單獨貢獻的三成與沉積後的五成並排標出，保護膜確實鎖住了一部分處理效果，同時繼續壓低了界面缺陷。
新膜仍談不上理想鈍化層，針孔、附著力與擴散後的應力都需要長期檢驗，可它已經守住了第一批雙擴散窗口。
完成結區檢查後，老孫用微型台虎鉗固定晶片，逐只進行金絲楔焊，手腕的拋動幅度來自多年電子管引線工藝，落點控制得整齊。
大劉負責封裝與引線通斷檢查，方旭東把晶片編號、晶向角度、膜厚估值和兩次擴散條件全部接到器件卡上。
最終完成封裝的鍺雙擴散NPN三極體共二十七隻，三隻沉積不均勻樣片與破壞性截面樣片均未計入這批成品。
直流測試從共發射極接法開始，方旭東逐只改變基極電流，記錄集電極電流、漏電與擊穿數據，再計算電流增益。
二十七隻管子的共發射極電流增益集中在三十五到五十之間，窗口外漏電較舊試片顯著下降，基本放大器指標已經達標。
吳漢章看完第一張統計表，把煙盒推回抽屜，叫大劉將簡易諧振腔測試台提前預熱。
「直流能放大，只能算站起來，頻率掃完才知道它能走多快。」
姜明用已知參數的蘇制管校過測試台，隨後將第一隻國產鍺三極體接入夾具，從低頻端逐級掃向高頻。
增益曲線在一百兆赫茲以後開始下落，截止點落在一百三十兆赫茲附近，第二隻與第三隻也停在相鄰區間。
方旭東連續換完二十七隻管子，黑板上的頻率點最終擠在一百二十兆赫茲到一百五十兆赫茲之間，分布比預想中集中。
按鍺電子遷移率三千九百平方厘米每伏秒與零點五微米設計基區寬度估算，理論截止頻率應接近二百一十兆赫茲。
實際結果系統性偏低約三成，這種集中分布反而讓姜明感到棘手，隨機工藝散差通常會把點拉寬，眼下卻像整批器件共同背著一項延遲。
方旭東先把蘇制管重新接入測試台，諧振點和原始標定值依舊吻合，掃頻線束、夾具寄生參數與記錄儀時基也逐項複查。
吳漢章從黑板前轉過身，指著擴散工藝卡說道：「先看基區，設計是零點五微米，低溫長時間擴散可能把它推寬了。」
姜明挑出三隻接近頻率分布上、中、下位置的管子，交給方旭東進行破壞性剖切，再用選擇性腐蝕液顯示PN結位置。
顯微鏡下的兩道結區邊界逐漸顯出，三隻管子的基區寬度落在零點六到零點七微米之間，確實高於原設計值。
姜明把實測寬度代回渡越時間估算，基區增寬只能解釋約百分之十到十五的衰減，剩下的差額仍壓在頻率曲線上。
老孫拿著統計紙走到工作檯前，先看二十七隻管子的直流增益，又看那條停在一百三十兆赫茲附近的黑線。
「增益夠了，頻率不夠，這個管子，算是成了還是沒成？」
姜明正在翻謝希德送來的光電導譜，手上的動作停下來，紙頁邊緣被檯燈烤得發暖，他卻先把二十四吉赫茲預研指標重新算了一遍。
眼前這批器件證明了表面處理、沉積掩蔽與雙擴散路線能夠走通，可預研需要的前級放大管，截止頻率至少要越過一吉赫茲。
他在記錄紙上寫下頻率是命，增益是命，兩個都是命，隨後將紙推到工作檯對面的空位，那是王守武每次討論時常坐的位置。
牛皮紙筆記本隨即列出四項來源，基區寬度超出設計已經解釋一部分，基區摻雜梯度偏緩也可能削弱內部漂移電場。
第三項指向界面態引起的少子複合，載流子被表面陷阱反覆俘獲與釋放，渡越時間便會繼續拉長。
最後一項落在鍺材料本身，較窄的禁帶寬度會推高熱生載流子與漏電，並限制擊穿、電場和高頻工作的組合邊界。
前三項仍能靠工藝爭取，第四項卻屬於晶體本身的參數，姜明暫時只畫了一個圈，並未在結論欄落字。
隔壁辦公室里，吳漢章翻開二十四吉赫茲預研方案的目標頻率頁。
當前一百三十兆赫茲距要求的七分之一尚存一段距離。即便後續工藝將頻率推高一倍，與一吉赫茲的落差依然懸殊。
他手捏紅鉛筆，目光久久停滯在封面上的「鍺」字上，筆尖懸於半空，最終選擇留白。
方旭東剛把二十七個頻率點重新描粗，保密電話的急促鈴聲便劃破實驗室的寧靜。
物理所來電通知：王守武已閱初步簡報，次日上午即赴502核查原始數據。