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第286章 這張圖,至少領先十年!

2026-04-14 05:20:05 作者: 貓燈客

  半導體研究所。

  顧昭昭到的時候,吳建華已經在實驗室門口等著了。

  跟上回不一樣,這回老頭兒沒端著架子。

  遠遠瞅見那個背帆布包的瘦削身影拐過樓角,直接迎上來,腳步比秘書還快。

  「顧總工,第三爐昨天下午出爐了。」

  吳建華邊走邊說,語速比平時快了一截。

  他推開實驗室的鐵門,側身讓顧昭昭先進。

  實驗室里燈管亮得刺眼。

  長條工作檯上,十二片晶圓整整齊齊碼在墊了絨布的鋁托盤裡。

  吳建華的得意勁兒藏都藏不住。

  三英寸的軍品級砷化鎵襯底。

  擱三個月前,他做夢都不敢想能在自己手裡拉出來。

  顧昭昭沒吭聲。

  她放下帆布包,從托盤裡取出第一片晶圓,舉到燈光底下。

  轉了半圈,擱下。

  拿起第二片。

  再擱下。

  一片一片看過去,動作不快,但每一片停留的時間幾乎一模一樣。

  吳建華站在旁邊,心裡頭有點打鼓。

  看到第九片的時候,顧昭昭停下了。

  她把晶圓翻了個面,湊到燈管正底下,眯起眼。

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  然後擱下,拿起第十片。




  「顯微鏡。」

  吳建華一愣,扭頭沖旁邊喊:「老周,把金相顯微鏡推過來!」

  老周手腳麻利,三十秒不到,顯微鏡到位。

  顧昭昭把第九片晶圓卡上載物台,調焦,低頭看了十幾秒。

  換第十片。

  又看了十幾秒。

  她直起身,退後一步。

  「吳所長,你自己看,九號和十號,邊緣區域,兩點鐘方向。」

  吳建華三步並兩步湊上去,低頭貼上目鏡。

  五秒鐘。

  他的眉頭擰成了疙瘩。

  「微裂紋?」

  「對。」

  「寬度大約零點三微米,沿晶向延伸,長度不超過八十微米。」

  吳建華直起腰,臉色有些掛不住。

  他剛才明明檢查過。

  肉眼和常規檢測都沒查出毛病。

  「這個裂紋在中心區域沒有,只出現在邊緣。也不是每片都有,十二片裡我看了四片有類似痕跡。」

  顧昭昭走到工作檯旁,拿起鉛筆和一張草稿紙。

  「問題不在拉晶參數上,參數沒毛病。」

  她畫了個坩堝截面示意圖,三筆勾完。

  「問題出在坩堝的熱場分布,你們的加熱器是單區控溫,坩堝中心和邊緣的溫差,實際上比你們儀表讀出來的大。」

  吳建華盯著那個截面圖:「大多少?」

  「中心和邊緣的實際溫差在八到十二度之間。你們的儀表只能測到坩堝外壁溫度,內部熔體邊緣的真實溫度,測不著。」

  老周站在旁邊,嘴巴張的老大,手裡記錄本忘了寫。

  「晶體生長過程中,邊緣冷得比中心快,熱應力集中,就產生微裂紋,晶體越大,效應越明顯。」

  顧昭昭在截面圖上添了幾個箭頭,標出熱流方向。

  「兩英寸的時候問題不大,尺寸小,溫差效應弱。三英寸一上來,邊緣應力就扛不住了。」

  吳建華的臉沉下來了。

  他幹了幾十年,熱場梯度的重要性當然清楚。

  可設備條件擺在那兒,一直默認單區控溫夠用。

  「能不能改?」

  吳建華沒繞彎子。

  「兩個辦法。」


  顧昭昭豎起兩根手指。

  「第一個是換雙區加熱器,但你們現有的爐子改造起來至少兩個月。」

  「第二個是在坩堝外壁加一層導熱均衡層。相當於給坩堝穿一件棉襖,把熱量勻開。」

  她在草稿紙上寫下導熱均衡層的具體尺寸參數和安裝位置。

  「第二種方案,三天就能改完。」

  吳建華拿起那張草稿紙,看了三遍。

  「老周。」

  「在。」

  「去找材料組的老趙,讓他今天下午就備料。」

  「是!」

  老周抱著紙就往外跑。

  吳建華搓了搓手,轉向顧昭昭。

  這回他臉上沒有尷尬,也沒有客套。

  「顧總工,我搞了三十年半導體,坩堝熱場這個問題困了我們組至少五年。五年,換了三茬人,誰都沒吃透。你來了兩趟,全給捅破了。」

  顧昭昭沒接話。

  她從帆布包里掏出筆記本,翻到夾著標籤的那一頁。

  「吳所長,襯底的事交給你繼續跑。我今天來,還有另一件事。」

  她走到實驗室角落那塊積了粉筆灰的大黑板前。

  「T/R組件。」

  吳建華愣了一下。

  顧昭昭拿起粉筆,沒打底稿,直接落筆。

  第一根線條落在黑板左側。

  功率放大模塊。

  她畫的不是原理框圖,是實際的單片電路拓撲。

  粉筆在黑板上刷刷地響。

  吳建華站在三步開外,一開始還能跟上她的節奏。

  畫到第二個模塊——低噪聲放大器的時候,他的眉頭皺起來了。

  因為他看出來了。

  這個低噪聲放大器的拓撲結構,跟他見過的任何一篇文獻都對不上。

  「這個級聯結構……」

  吳建華脫口而出,「噪聲係數能做到多少?」

  「一點二dB。」

  顧昭昭頭都沒回,粉筆沒停。

  吳建華的手往褲兜里一插,又抽出來,攥了攥拳頭。

  現在全世界砷化鎵低噪聲放大器最好的水平,噪聲係數在二點五到三dB之間。

  她隨手畫出來的東西,直接把世界紀錄往前蹚了一大截。

  第三個模塊——移相控制器。

  顧昭昭的粉筆速度不減。

  最後,她在三個模塊之間畫上互連線路,用虛線框把整個版圖框在一起。

  框的右下角,寫了四個字——

  單片集成。

  粉筆擱下。

  她拍了拍手上的灰,轉過身。

  整塊黑板寫得滿滿當當。

  實驗室里,不知什麼時候多了七八個人。

  都是吳建華組裡的研究員,不知誰喊來的,站在後頭,瞪大了眼睛盯著黑板。

  沒人說話。

  有個年輕研究員手裡端著搪瓷缸子,水早涼了,一口沒喝。

  吳建華走到黑板前,眼睛從左掃到右,又從右掃到左。

  他伸手,指著移相控制器和功率放大器之間那條互連線路。

  「你把移相器和功放集成在同一塊晶片上?」

  「對。」

  「不走混合集成,全部單片化?」

  「對。」

  吳建華的手懸在半空,停了好幾秒。

  「顧總工。」

  他把聲音壓下來了。

  「這個思路……我們所里沒人想到過。美國軍方實驗室去年發的最新論文,T/R組件還是混合集成,功放和移相器分開做,最後拼一塊兒。」

  「你這個方案,是把所有核心功能塞進一塊晶片裡。」

  他轉過身,看著顧昭昭。

  「這至少領先十年。」

  顧昭昭把粉筆擱回粉筆槽。

  「不是'至少'。」

  她拿起帆布包,把筆記本裝進去。

  「就是十年。」


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